功率咸陽箱式變壓器新技術

　　從90年代中期開始，功率器件的研制取得飛速發展，高電壓、大電流、導通電阻小的功率器件逐步研制出來。由于屬氧化物場效應管 (MOSFET )具有時間短(<10ns)。激勵功率小(電壓激勵器件)、對溫度不敏感、無二次擊穿、損耗低、脈沖拖尾電流小且易于并聯使用的優點，在咸陽箱式變壓器中已取代了傳統雙極型晶體管而成為新的功率器件。目前MVOS功率金屬氧化物場效應管頻率可達到 450 MHz，已廣泛于頻率較高的咸陽箱式變壓器，但普通VMOS管在高電壓大電流工作時導通電阻很大，器件發http://nanping.tjsdtl.com/熱，輸出效率下降。近年研制出的IGBT絕緣柵雙極型晶體管不僅具有MOSryT電壓激勵等所有優點，同時還具有雙極管正向飽和導通壓降低的特性，主要用于百瓦級到千瓦級容量頻率為2kkkHz左右的咸陽箱式變壓器中。根據日常的維護和維修工作統計，江蘇省使用的幾種廠家的咸陽箱式變壓器模塊中均采用了IGBT絕緣柵雙極型晶體管作為功率器件。采用功率因數補償電路功率因數在咸陽箱式變壓器系統中是一項非常重要的指標，功率團數(Pf)的定義為電網中突變或脈動電流產生的有功功率和負載的視在功率之比，理想情況下功率因數為1。造成功率因數小的主要原因是交流電壓和電流工作在不同的相位(即交流電壓和電流產生相移)或交流電壓和電流的波形產生失真。在高頻咸陽箱式變壓器中主要是由于咸陽箱式變壓器輸入端的整流濾波電路是容性負載，使交流電壓和電流產生相位偏移而使功率因數減少。另外，由于電路中其他因素的影響，也會使咸陽箱式變壓器輸入的交流電流產生一些失真。